Cree的首席执行官谈论其公司的大5G和电动汽车机遇

不久之前，Cree作为LED组件和照明产品供应商而闻名。但是今天，在5月份完成的以3.1亿美元出售LED照明业务的交易之后，Cree从其Wolfspeed功率半导体和材料部门获得了大部分收入以及大部分的毛利润。

碳化硅芯片和Wolfspeed的策略

Cree占全球碳化硅(SiC)产量的60%以上，该化合物用于制造能够承受比标准硅高得多的温度和电压的芯片。尽管SiC芯片的价格往往更高，但与同类硅芯片相比，其热性能使它们能够提供更高的功率密度，更快的功率开关速度和/或更低的功率开关损耗。

由于其性能，SiC芯片长期以来一直用于航空航天和国防设备。近年来，SiC芯片的销售在电动汽车中迅速增长，并且通过采用RF晶体管(在SiC衬底上层叠有氮化镓(GaN)的材料)在移动基站市场迅速发展。在太阳能逆变器市场和各种工业终端市场中，吸收量也在增加。

Wolfspeed从采用SiC获利的策略有两个方面：向裸芯片和外延芯片晶圆销售给第三方芯片制造商，例如意法半导体(STM)，英飞凌和安森美半导体(ON)-与意法半导体的交易最近得到了扩展-销售内部设计的芯片。为了帮助后者，Cree去年斥资3.45亿欧元(3.8亿美元)收购了英飞凌的射频功率芯片业务。

在对华为的销售停滞，中国电动汽车需求放缓以及部分5G推出延迟的情况下，市场普遍认为Wolfspeed的收入在Cree的2020财年(截至2020年6月)预计将下降7%，至5.02亿美元。但是，随着晶圆销售持续增长以及主要的电动汽车和5G基站设计获胜，预计到2023财年收入将飙升两倍以上。

在11月20日的投资者日，Cree估计Wolfspeed的GaN RF寻址市场在2024年将达到20亿美元，而其碳化硅功率芯片的寻址市场将在50亿美元。在与TheStreet的谈话中，Cree首席执行官Gregg Lowe分享了有关这两个机会的许多细节。

5G机会

Cree长期以来一直在争辩说，5G基站的技术要求-他们需要支持非常高的数据速率以及具有非常宽带宽的更高频段-将会推动GaN-on-SiC RF晶体管的采用，支持的功率密度远高于替代方案。Lowe表示，随着市场从4G过渡到5G，基站中SiC的采用率“肯定会超过50%”。

当被问及Cree客户的参与度时，Lowe指出(如前所述)，该公司对华为有“很大的风险”。但是，他(没有命名)补充说，克里与“其他4或5名球员也有良好的关系”。这个小组包括诺基亚(NOK)，爱立信(ERIC)，中兴通讯和三星。

劳说：“几乎所有的人都在转向氮化镓，他们认为我们在那里是一个非常强大的参与者。”他补充说，在过去三年中，一个“非常大”的基站供应商只使用了SiC芯片。

Qorvo(QRVO)和其他一些参与者在SiC上GaN市场上存在一些竞争。当被问及Wolfspeed在该领域的竞争优势时，Lowe辩称其“汤到坚果”芯片的制造，设计和封装能力使其与众不同。

电动汽车动力

Cree表示，Wolfspeed拥有90亿美元的“机遇管道”，其中近一半涉及汽车机遇。此外，Lowe之前估计电动汽车将包含价值300至600美元的SiC组件。当我问到什么能将汽车的需求推向该范围的高端或低端时，他说这往往取决于汽车的动力需求，而动力需求又会受到其动力/性能的影响。